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2001 物理化学 II - 11章

11. 磁性

11.1 磁化率

  磁化 M : 単位体積あたりの平均磁気双極子モーメント
M = \chi H   (11.1)
  : 体積磁化率 [-], H : 磁場 [A m-1]
  cf.) 磁気モーメント : [A m2 = J T-1]
  モル磁化率
\chi _m  = \chi V_m   (11.2)
  磁束密度
B = \mu _0 \left( {H + M} \right) =
   \mu _0 \left( {1 + \chi } \right)H   (11.3)
  0 : 真空の透磁率 = 4 10-7 H m-1 (H m-1 = N A-2 = J C-2 m-1 s2)

  常磁性 : > 0
  反磁性 : < 0

図 11.1 Gouy 天秤
\chi  = N\mu _0 \left( {\xi  + \frac{{m^2 }}{{3kT}}} \right)   (11.4)
m : 分子の永久磁気双極子モーメント, : 分子の磁気分極率
  N Vm = NA であるから
\chi _m  =
   N_{\rm A} \mu _0 \left( {\xi  + \frac{{m^2 }}{{3kT}}} \right)   (11.5)
  cf.) Debye の式
  Curie の法則
\chi _m  = A + \frac{C}{T}   (11.6)
    cf.) Gouy 天秤

11.2 永久磁気モーメント

  不対電子スピン由来の磁気モーメント
\mu  = g_e \left[
   {S\left( {S + 1} \right)} \right]^{1/2} \mu _{\rm B}   (11.7)
  S : 合成電子スピン量子数, ge : 電子の g 値 = 2.002319..
  B : ボーア磁子
\mu _B  = \frac{{e\hbar }}{{2m_e }}   (11.8)
図 11.2 強磁性・反強磁性
  電子スピンのモル磁化率への寄与
\chi _m  =
   \frac{{N_{\rm A} g_e^2 \mu _0 \mu _{\rm B}^2 S\left( {S + 1}
   \right)}}{{3kT}}   (11.9)
  (11.7), (11.9) スピンオンリー式
磁気モーメントには電子の軌道角運動量からの寄与もある
[強磁性・反強磁性]
  常磁性固体 低温
・スピンの平行配向 : 強磁性(相)
・ 〃 反平行配向 : 反強磁性(相)

11.3 誘起磁気モーメント

  ・磁場に誘起される循環電流は反磁性 S = 0 の分子は殆ど反磁性
  ・S > 0 の分子は "温度に依存する" 常磁性
[軌道常磁性]
  低い LUMO を持つ S = 0 の分子 軌道常磁性 = TIP (温度に依存しない常磁性, Temperature-Independent Paramagnetism)
LUMO を電子が逆に回る 常磁性電流

例題 11.1
  [Mn(NCS)6]4- 錯体の Mn は5つの不対電子をもつ。 磁気モーメントを B 単位で予想せよ。
(解) S = (1/2) 5 = 2.5 = 2.0023 (2.53.5)1/2 B = 5.92 B

問題 11.1
  気体 O2 は常磁性を示し、 293 K におけるモル磁化率は 4.33 10-8 m3 mol-1 である。 常磁性は主に電子スピンによると仮定して、 気体 O2 のスピン量子数と不対電子数を推定せよ。
  ただし、\frac{{N_{\rm A} g_e^2 \mu _0 \mu _{\rm B}^2 }}{{3k}} =
   6.30 \times 10^{ - 6} [K m3 mol-1] である。