<3中心2電子結合>
ex.) B2H6
の橋架け部 (B-H-B) の部分分子軌道
2),
H の 1s
3つの分子軌道
計 2 個の電子<3中心4電子結合>
ex.) PCl5
の面外 Cl-P-Cl の部分分子軌道
2)
3つの MO
計 4 個の電子
ex.) PCl5, SF6
古典解釈 :
部分 MO 法 (3中心4電子結合) :
<SF6 の MO>
1a1g2(結合性)
1t1u6(結合性)
eg4(非結合性)
結合次数 : 4(1つの S-F あたり 2/3)
・複数の「結合」に非局在化した MO
・a1g, eg,
t1u など ... Oh 点群の対称種
cf.)
g,
u,
g など ...
D
h 点群の対称種
第2周期元素の XH2 分子
<分子軌道>
OH2(屈曲) の分子軌道
| 軌道 エネルギー (直線 屈曲)
| ||||
1 u
|
| 1b1 | 非結合性 |
|
| 3a1 | 非結合性 |
| |
1 u
|
| 1b2 | 結合性 |
|
2 g
|
| 2a1 | 結合性 |
|
<Walsh 則>
u -
1b2 のエネルギーが極小となる直線構造
u -
3a1 のエネルギーの低下が大きいので屈曲構造
| BeH2 | BH2 | CH2 | NH2 | OH2 | |
| 価電子数 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 |
| 結合角 (°) | 180 | 131 | 136 | 103 | 105 |
<バンド>
| 2個の AO の相互作用 |
| 2個の MO |
|
| 3個の AO の相互作用 |
| 3個の MO |
|
| n 個の AO の相互作用 |
| n 個の MO |
|
個の AO の相互作用
|
| 個の MO
| バンド
|
s バンド,
p 軌道
p バンド
<フェルミ (Fermi) 準位>
<金属の原子化エンタルピー>
<電気伝導度>
=
0
exp(- Eg / 2kT)
1/
)
の温度依存性を測定したら、以下のようになった。| 温度 / K | 313 | 425 |
抵抗 /
| 11.8 | 0.35 |
| 物質 | C (ダイアモンド) | Si | Ge | GaAs | InAs |
| バンドギャップ / eV | 5.47 | 1.12 | 0.66 | 1.42 | 0.36 |